IPU80R1K4P7AKMA1
Infineon Technologies
Deutsch
Artikelnummer: | IPU80R1K4P7AKMA1 |
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Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 800V 4A TO251-3 |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $1.25 |
10+ | $1.12 |
100+ | $0.8735 |
500+ | $0.7216 |
1000+ | $0.5697 |
2000+ | $0.5317 |
5000+ | $0.5051 |
10000+ | $0.4861 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 700µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | PG-TO251-3-21 |
Serie | CoolMOS™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4Ohm @ 1.4A, 10V |
Verlustleistung (max) | 32W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Paket | Tube |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Through Hole |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 250 pF @ 500 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10.05 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 800 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 4A (Tc) |
Grundproduktnummer | IPU80R1 |
IPU80R1K4P7AKMA1 Einzelheiten PDF [English] | IPU80R1K4P7AKMA1 PDF - EN.pdf |
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2024/09/23
2024/07/10
2024/10/23
2024/12/26
IPU80R1K4P7AKMA1Infineon Technologies |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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